電場感應(yīng)下面(Field-Induced Model, FIM)

此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場感應(yīng)而起的,，當(dāng)IC因輸送帶或其他因素而經(jīng)過一電場時，其相對極性的電荷可能會自一些IC腳而排放掉,，等IC通過電場之后,，IC本身便累積了靜電荷，此靜電荷會以類似CDM的模式放電出來,。有關(guān)FIM的放電模型早在雙載子(bipolar)電晶體時代就已被發(fā)現(xiàn),，現(xiàn)今已有工業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)。在國際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JEDEC STANDARD) 中,，亦已對此電場感應(yīng)模型訂定測試規(guī)范 (JESD22-C101),，詳細(xì)情形請參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

Charged-Device Mode靜電放電可能發(fā)生的情形,。IC自IC管中滑出后，帶電的IC腳接觸接到地面而形成放電現(xiàn)象,。

元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)

此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內(nèi)部累積了靜電,，但在靜電累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中,，當(dāng)其pin去碰觸到接地面時,，IC內(nèi)部的靜電便會經(jīng)由pin自IC內(nèi)部流出來，而造成了放電的現(xiàn)象,。

此種模型的放電時間更短,，僅約幾毫微秒之內(nèi)，放電現(xiàn)象更難以真實的被模擬,。因為IC內(nèi)部累積的靜電會因IC元件本身對地的等效電容而變,，IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式都會造成不同的等效電容。由于具有多項變化因素難定,，有關(guān)此模型放電的工業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)仍在協(xié)議中,，但已有此類測試機臺在銷售中。該元件充電模型(CDM) ESD可能發(fā)生的原因及放電的情形顯示于下面圖中,。

人體放電模型(2-KV) 與機器放電模型(200V) 放電電流的比較圖在國際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) (EIA/JEDEC STANDARD) 中,，亦對此機器放電模型訂定測試規(guī)范 (EIA/JESD22-A115-A),，詳細(xì)情形請參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。