控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試 國(guó)產(chǎn)芯片替代測(cè)試

代測(cè)服務(wù)：控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試 國(guó)產(chǎn)芯片替代測(cè)試
1．簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),。eMMC是當(dāng)前最紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案，目的在于簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),，由于NAND Flash芯片的不同廠牌,，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來(lái)重新設(shè)計(jì)，而過(guò)去并沒(méi)有技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash芯片,。

2．更新速度快,。每次NAND Flash制程技術(shù)改朝換代，包括70納米演進(jìn)至50納米,，再演進(jìn)至40納米或30納米制程技術(shù),，手機(jī)客戶也都要重新設(shè)計(jì)，但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1年制程技術(shù)都會(huì)推陳出新,，存儲(chǔ)器問(wèn)題也拖累手機(jī)新機(jī)種推出的速度,，像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1顆MCP上的概念，隨著不斷地發(fā)展逐漸流行在市場(chǎng)中,。

3．加速產(chǎn)品研發(fā)速度,。eMMC的設(shè)計(jì)概念，就是為了簡(jiǎn)化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用,，將NAND Flash芯片和控制芯片設(shè)計(jì)成1顆MCP芯片,，手機(jī)客戶只需要采購(gòu)eMMC芯片，放進(jìn)新手機(jī)中,，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash兼容性和管理問(wèn)題,，最大優(yōu)點(diǎn)是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度,。

發(fā)展趨勢(shì) eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3時(shí)代發(fā)展到eMMC4.4時(shí)代,，eMMC4.5已經(jīng)問(wèn)世，2013年7月29日三星開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品  。未來(lái)其它像更的MCP產(chǎn)品也會(huì)把Mobile RAM一起融入,，要打贏嵌式內(nèi)存之戰(zhàn),，還要看各家內(nèi)存資源和技術(shù)的齊全度。

但以臺(tái)系內(nèi)存模塊廠而言,，還在尋找商機(jī)的切入點(diǎn),，除非找到愿意全面支持的內(nèi)存大廠，否則未來(lái)可能只能做大陸點(diǎn)山寨手機(jī)市場(chǎng),。

檢測(cè)項(xiàng)目：控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試 國(guó)產(chǎn)芯片替代測(cè)試
高速電路測(cè)試服務(wù)項(xiàng)目有：① SI信號(hào)完整性測(cè)試,，主要內(nèi)容是電源上電時(shí)序、復(fù)位,、時(shí)鐘,、I2C、SPI,、Flash,、DDR、JTAG接口,、CPLD接口測(cè)試,、URAT測(cè)試、網(wǎng)口測(cè)試,、USB2.0/USB3.0測(cè)試,、MIPI測(cè)試、HDMI測(cè)試,、及板卡上其它芯片接口的信號(hào)測(cè)試,。② PI電源完整性測(cè)試，主要內(nèi)容是電源的電壓值（精度）,、電源噪聲/紋波,、電壓上下波形、測(cè)量緩啟動(dòng)電路參數(shù),、電源電流和沖擊電流,、電源告警信號(hào)、冗余電源的均流參數(shù),。③ 接口一致性測(cè)試,，主要有以太網(wǎng)、USB2.0,、USB3.0,、MIPI、HDMI,、SATA,、Display Port,、PCIE。