電化TFE可以在鎢單晶針狀物的表面上形成覆有鋯和氧的吸附層,，從而被當(dāng)作減少鎢的功函數(shù)的肖特基發(fā)射極來使用,。不但具有超過單晶體LaB6陰極100倍以上的光亮度而且能量偏差小,，即使是低加速電壓也可以有縮小探頭直徑的可能性。因此適合應(yīng)用在半導(dǎo)體材料和設(shè)備機(jī)械的表面觀察上,。 此外,，不僅放射電流是極其穩(wěn)定的，還壽命長,，因此以半導(dǎo)體檢查裝置或電子束曝光設(shè)備為首,，在各種電子束應(yīng)用設(shè)備上被使用采納。

通過先進(jìn)的針加工技術(shù),，制造出多種大小范圍的曲率半徑的芯片。
因?yàn)槠钚?，所以具備再現(xiàn)性能好的電子發(fā)射特點(diǎn),。
可以對應(yīng)指定的電子槍的配置。
此外,，也可以提供芯片,，壓縮機(jī)，引出電極為一體的模塊形式,。

高分辨率掃描電子顯微鏡,，透射分析電子顯微鏡，半導(dǎo)體測試裝置（CD-SEM,，DR-SEM EBI）,，電子束曝