高低溫試驗測試流程：

　　1,、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C,，保持4個小時;

　　請勿在樣品通電的狀態(tài)下進行低溫測試,，非常重要,，因為通電狀態(tài)下，芯片本身就會產(chǎn)生+20°C以上溫度,，所以,，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測試,，必須先將其“凍透”,，再次通電進行測試。

　　2,、開機,，對樣品進行性能測試，對比性能與常溫相比是否正常,。

　　3、進行老化測試,，觀察是否有數(shù)據(jù)對比錯誤,。

　　4、升溫到+90°C,，保持4個小時,，與低溫測試相反，升溫過程不斷電,，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),，4個小時后，執(zhí)行2,、3,、4測試步驟。

　　5,、高溫和低溫測試分別重復(fù)10次,。

　　如果測試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測試失敗。