根據(jù)溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

　　為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失,，DRAM必須定時進(jìn)行刷新,，DDR3也不例外。為了的節(jié)省電力,，DDR3采用了一種新型的自動自刷新設(shè)計（ASR,，Automatic Self-Refresh）。當(dāng)開始ASR之后,，將通過一個內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率,，因為刷新頻率高的話，消電就大,，溫度也隨之升高,。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率,，降低工作溫度,。DDR3的ASR是可選設(shè)計，并不見得市場上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能,，還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT,，Self-Refresh  Temperature）。通過模式寄存器,，可以選擇兩個溫度范圍,，一個是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個是擴(kuò)展溫度范圍,，比如到 95℃,。對于DRAM內(nèi)部設(shè)定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作,。

　　局部自刷新（RASR,，Partial Array Self-Refresh）

　　這是DDR3的一個可選項,，通過這一功能，DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank,，而不是全部刷新,，從而限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點與移動型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設(shè)計很相似,。

　　點對點連接（P2P，Point-to-Point）

　　這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行了重要改動,，也是與DDR2系統(tǒng)的一個關(guān)鍵區(qū)別,。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器將只與一個內(nèi)存通道打交道,，這個內(nèi)存通道只能一個插槽,。內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組）,，或者是點對雙點（P22P,，Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載,。而在內(nèi)存模組方面,，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺式PC）,、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）,、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（**內(nèi)存緩沖器）,。目前有關(guān)DDR3內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)制定工作剛開始,，引腳設(shè)計還沒有終確定。