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該過(guò)程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),，即遇紫外光則,。
通過(guò)控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。
在硅晶片涂上光致抗蝕劑,，使得其遇紫外光就會(huì)溶解,。
這時(shí)可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解,，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走,。
這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的,。
這樣就得到我們所需要的化硅層,。
摻加雜質(zhì)，將晶圓中植入離子,，生成相應(yīng)的P,、N類(lèi)半導(dǎo)體。
具體工藝是從硅片上暴露的區(qū)域開(kāi)始,，放入化學(xué)離子混合液中,。
這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式，使每個(gè)晶體管可以通,、斷,、或攜帶數(shù)據(jù),。
簡(jiǎn)單的芯片可以只用一層，但復(fù)雜的芯片通常有很多層,，這時(shí)候?qū)⒃摿鞒滩粩嗟闹貜?fù),，不同層可通過(guò)開(kāi)啟窗口聯(lián)接起來(lái)。
這一點(diǎn)類(lèi)似多層PCB板的制作原理,。
更為復(fù)雜的芯片可能需要多個(gè)化硅層,，這時(shí)候通過(guò)重復(fù)光刻以及上面流程來(lái)實(shí)現(xiàn)，形成一個(gè)立體的結(jié)構(gòu),。