DDR測試,抖動測試,時序測試,高速電路板測試


channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column
channel （對應多個DDR控制器）> DIMM（內存插槽） > rank（一次訪問位寬決定,，也成物理bank） > chip（1個chip大多是4bit/8bit/16bit等,，組成一個rank,，配合完成一次訪問的位寬要求,。這就是顆粒） > bank（顆粒里的logic-bank，DDR3一般對應8個bank存儲體） > row/column
DDR頁和行的概念理解
DDR logic bank的row就是行,，對應行地址選中等,。
DDR頁的概念，是針對刷新或者訪問來說的,，舉例,，一個rank可能有4個chip組成，一個chip里可能有8個bank,，每一個bank有N個行,。頁指的是一個rank里每個chip，所有bank的一個行地址,；注意不是一行,，是多行,，行數是chip數目*bank數目。
所以,，DDR頁,，可以講為一個rank里每個chip的行地址
（ps：在一個rank里，每個chip的地址是相同的,。因為多個chip組成一個總數據位寬,。DDR接口的cs信號，雖然叫chip select,，其實是rank（一組chip）的 select）。
DDR頁的概念,，后續(xù)會講到頁命中,、頁miss等，跟cache page原理一樣,。
SDRAM開始是時鐘下降沿采樣,，數據傳輸速率和頻率是1:1關系，即一個周期可傳輸1bit數據,；


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