MPR: Multi-purpose register. 多用途寄存器。
MPR的功能是讀出一個預(yù)先設(shè)定的系統(tǒng)時序校準比特序列,。
     為了使能MPR功能,，需要在MRS的寄存器MR3的A2位寫1，并且在此之前需要將ddr3的所有bank處于idle狀態(tài),；     一旦MPR被使能后,，任何RD和RDA的命令都會被引入到MPR寄存器中，當(dāng)MPR寄存器被使能后,，     除非MPR被禁止（MR3的A2=0）,，否則就只有RD和RDA被允許。
在MPR被使能的時候,，RESET功能是被允許的,。
Precharge Power Down: bank在in-progress命令后關(guān)閉Active Power Down:bank在in-progress命令后依然打開Idle：所有的bank必須預(yù)先充電,，所有時序滿足，DRAM的ODT電阻,，RTT必須為高阻,。
  CWL:CAS write latency. 以時鐘周期為單位，在內(nèi)部寫命令和位輸入數(shù)據(jù)的時間延時,，該單位始終為整數(shù),。
        在操作過程中，所有的寫延時WL被定義為AL（Additive Latency）+CWL,。
Rtt: Dynamic ODT.DDR3引入的新特性,。
在特定的應(yīng)用環(huán)境下為了更好的在數(shù)據(jù)總線上改善信號完整性，       不需要特定的MRS命令即可以改變終結(jié)強度（或者稱為終端匹配）,。
在MR2中的A9和A10位設(shè)置了Rtt_WR,。
Ddr3中，       有兩種RTT值是可以選擇的,，一種是RTT_Nom,另一種是RTT_WR;Rtt_Nom是在沒有寫命令的時候被選擇的,，       當(dāng)有了寫命令后，ODT就會變成Rtt_wr,，當(dāng)寫命令結(jié)束后,，又會回到Rtt_nom。
也就是說,，RTT在ODT使能后,，出現(xiàn)，       當(dāng)總線上沒有數(shù)據(jù)的時候,，采用的RTT值為RTT_nom;而當(dāng)總線上有了數(shù)據(jù)后,，要求此時的ODT的值為Rtt_wr。
       具體的DDR3的ODT產(chǎn)生時序見圖2,。
當(dāng)ODT被使能后,，必須要保持高電平ODTH4個時鐘周期才可以有效；       如果寫命令被放入寄存器并且ODT是高,，那么ODT必須保持ODTH4或者ODTH8,，這樣ODT才可以有效。