MPR: Multi-purpose register. 多用途寄存器。
MPR的功能是讀出一個(gè)預(yù)先設(shè)定的系統(tǒng)時(shí)序校準(zhǔn)比特序列,。
     為了使能MPR功能,，需要在MRS的寄存器MR3的A2位寫(xiě)1，并且在此之前需要將ddr3的所有bank處于idle狀態(tài),；     一旦MPR被使能后,，任何RD和RDA的命令都會(huì)被引入到MPR寄存器中,，當(dāng)MPR寄存器被使能后，     除非MPR被禁止（MR3的A2=0）,，否則就只有RD和RDA被允許,。
在MPR被使能的時(shí)候，RESET功能是被允許的,。
Precharge Power Down: bank在in-progress命令后關(guān)閉Active Power Down:bank在in-progress命令后依然打開(kāi)Idle：所有的bank必須預(yù)先充電,，所有時(shí)序滿(mǎn)足，DRAM的ODT電阻,，RTT必須為高阻,。
  CWL:CAS write latency. 以時(shí)鐘周期為單位，在內(nèi)部寫(xiě)命令和位輸入數(shù)據(jù)的時(shí)間延時(shí),，該單位始終為整數(shù),。
        在操作過(guò)程中，所有的寫(xiě)延時(shí)WL被定義為AL（Additive Latency）+CWL,。
Rtt: Dynamic ODT.DDR3引入的新特性,。
在特定的應(yīng)用環(huán)境下為了更好的在數(shù)據(jù)總線上改善信號(hào)完整性，       不需要特定的MRS命令即可以改變終結(jié)強(qiáng)度（或者稱(chēng)為終端匹配）,。
在MR2中的A9和A10位設(shè)置了Rtt_WR,。
Ddr3中，       有兩種RTT值是可以選擇的,，一種是RTT_Nom,另一種是RTT_WR;Rtt_Nom是在沒(méi)有寫(xiě)命令的時(shí)候被選擇的,，       當(dāng)有了寫(xiě)命令后，ODT就會(huì)變成Rtt_wr,，當(dāng)寫(xiě)命令結(jié)束后,，又會(huì)回到Rtt_nom。
也就是說(shuō),，RTT在ODT使能后,，出現(xiàn)，       當(dāng)總線上沒(méi)有數(shù)據(jù)的時(shí)候,，采用的RTT值為RTT_nom;而當(dāng)總線上有了數(shù)據(jù)后,，要求此時(shí)的ODT的值為Rtt_wr。
       具體的DDR3的ODT產(chǎn)生時(shí)序見(jiàn)圖2,。
當(dāng)ODT被使能后,，必須要保持高電平ODTH4個(gè)時(shí)鐘周期才可以有效；       如果寫(xiě)命令被放入寄存器并且ODT是高,，那么ODT必須保持ODTH4或者ODTH8,，這樣ODT才可以有效,。