DDR3與DDR2的差異

      數(shù)據(jù)傳輸速率的差異是DDR3與DDR2=顯著的區(qū)別,，這部分上文已有描述,，我們來看看其他方面的不同,。

      在供電方面,，DDR3的工作電壓降低至1.5V,，實際上JEDEC標準規(guī)定1.575V為DDR3的安全工作電壓,。另外,，標準也規(guī)定內(nèi)存條所能經(jīng)受的安全供電電壓必須大于1.975V,，當然,，在這個電壓下內(nèi)存條可能已經(jīng)不能正常工作但還不至于損壞。

         在芯片級DDR3引入了異步Reset信號,，該信號主要提供兩方面的功能,，其一是可以簡化內(nèi)存芯片上電后的初始化過程，其二是當內(nèi)存系統(tǒng)進入一旦進入未知或不可控狀態(tài)后可以直接Reset而無需掉電重啟,。

        在接口方面,，以普通的Un-Buffer內(nèi)存條為例,，DDR3與DDR2均為240個pin腳，尺寸一致但防呆槽的位置不同,，由于工作電壓不同二者在電氣特性上也是互不兼容的,。

         在系統(tǒng)設計方面DDR3與DDR2的區(qū)別在于DDR3將時鐘、地址及控制信號線的終端電阻從計算機主板移至內(nèi)存條上,，這樣一來在主板上將不需要任何端接電阻,。為了盡可能減小信號反射，在內(nèi)存條上包括時鐘線在內(nèi)的所有控制線均采用Fly-by拓撲結構,。同時,，也是因為Fly-by的走線結構致使控制信號線到達每顆內(nèi)存顆粒的長度不同從而導致信號到達時間不一致。這種情況將會影響內(nèi)存的讀寫過程,，例如在讀操作時,，由于從內(nèi)存控制器發(fā)出的讀命令傳送到每顆內(nèi)存芯片的時間點不同，將導致每顆內(nèi)存芯片在不同的時間向控制器發(fā)送數(shù)據(jù),。為了消除這種影響,，需要在對內(nèi)存進行讀寫等操作時對時間做補償，這部分工作將由內(nèi)存控制器完成,。DDR3總線的系統(tǒng)框架如下圖所示,，其中紅線代表DQ,、DM以及差分DQS信號線,，黑線代表時鐘、地址及控制信號線,，T代表相應的端接電阻,。