Nand Flash信號(hào)完整性測(cè)試，Nand Flash電源完整性測(cè)試,，Nand Flash時(shí)序測(cè)試,，Nand Flash時(shí)鐘測(cè)試

兩種FLASH具有相同的存儲(chǔ)單元,，工作原理也一樣,，為了縮短存取時(shí)間并不是對(duì)每個(gè)單元進(jìn)行單獨(dú)的存取操作,，而是對(duì)一定數(shù)量的存取單元進(jìn)行集體操作， NAND型FLASH各存儲(chǔ)單元之間是串聯(lián)的,，而NOR型FLASH各單元之間是并聯(lián)的,；為了對(duì)全部的存儲(chǔ)單元有效管理,，必須對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行統(tǒng)一編址。
NAND的全部存儲(chǔ)單元分為若干個(gè)塊,，每個(gè)塊又分為若干個(gè)頁(yè),，每個(gè)頁(yè)是512byte，就是512個(gè)8位數(shù),，就是說(shuō)每個(gè)頁(yè)有512條位線(xiàn),，每條位線(xiàn)下 有8個(gè)存儲(chǔ)單元；那么每頁(yè)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)正好跟硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相同,，這是設(shè)計(jì)時(shí)為了方便與磁盤(pán)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換而特意安排的，那么塊就類(lèi)似硬盤(pán)的簇,；容 量不同,，塊的數(shù)量不同，組成塊的頁(yè)的數(shù)量也不同,。在讀取數(shù)據(jù)時(shí),，當(dāng)字線(xiàn)和位線(xiàn)鎖定某個(gè)晶體管時(shí)，該晶體管的控制極不加偏置電壓,，其它的7個(gè)都加上偏置電壓 而導(dǎo)通,，如果這個(gè)晶體管的浮柵中有電荷就會(huì)導(dǎo)通使位線(xiàn)為低電平，讀出的數(shù)就是0,，就是1,。
NOR的每個(gè)存儲(chǔ)單元以并聯(lián)的方式連接到位線(xiàn)，方便對(duì)每一位進(jìn)行隨機(jī)存??；具有專(zhuān)用的地址線(xiàn)，可以實(shí)現(xiàn)一次性的直接尋址,；縮短了FLASH對(duì)處理器指令的執(zhí)行時(shí)間,。

五、性能
1,、速度
在寫(xiě)數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)時(shí),，NAND由于支持整塊擦寫(xiě)操作，速度比NOR要快得多,，兩者相差近千倍,；讀取時(shí)，由于NAND要先向芯片發(fā)送地址信息進(jìn)行 尋址才能開(kāi)始讀寫(xiě)數(shù)據(jù),，而它的地址信息包括塊號(hào),、塊內(nèi)頁(yè)號(hào)和頁(yè)內(nèi)字節(jié)號(hào)等部分，要順序選擇才能定位到要操作的字節(jié),；這樣每進(jìn)行一次數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)需要經(jīng)過(guò)三次尋 址,，至少要三個(gè)時(shí)鐘周期,；而NOR型FLASH的操作則是以字或字節(jié)為單位進(jìn)行的，直接讀取,，讀取數(shù)據(jù)時(shí),，NOR有明顯優(yōu)勢(shì)。
2,、容量和成本
NOR型FLASH的每個(gè)存儲(chǔ)單元與位線(xiàn)相連,，增加了芯片內(nèi)位線(xiàn)的數(shù)量，不利于存儲(chǔ)密度的提高,。在面積和工藝相同的情況下,，NAND型FLASH的容量比NOR要大得多，生產(chǎn)成本更低,，也更容易生產(chǎn)大容量的芯片,。
3、易用性
NAND　FLASH的I/O端口采用復(fù)用的數(shù)據(jù)線(xiàn)和地址線(xiàn),，必須先通過(guò)寄存器串行地進(jìn)行數(shù)據(jù)存取,，各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商對(duì)信號(hào)的定義不同，增加了應(yīng)用的難 度,；NOR FLASH有專(zhuān)用的地址引腳來(lái)尋址,，較容易與其它芯片進(jìn)行連接，還支持本地執(zhí)行,，應(yīng)用程序可以直接在FLASH內(nèi)部運(yùn)行,，可以簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
4,、可靠性
NAND FLASH相鄰單元之間較易發(fā)生位翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)致壞塊出現(xiàn),，是隨機(jī)分布的，如果想在生產(chǎn)過(guò)程中消除壞塊會(huì)導(dǎo)致成品率太低,、性?xún)r(jià)比很差,，在出廠(chǎng)前要在高 溫、高壓條件下檢測(cè)生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的壞塊,，寫(xiě)入壞塊標(biāo)記,，防止使用時(shí)向壞塊寫(xiě)入數(shù)據(jù)；但在使用過(guò)程中還難免產(chǎn)生新的壞塊,，在使用的時(shí)候要配合 EDC/ECC(錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正)和BBM(壞塊管理)等軟件措施來(lái)保障數(shù)據(jù)的可靠性,。壞塊管理軟件能夠發(fā)現(xiàn)并更換一個(gè)讀寫(xiě)失敗的區(qū)塊，將數(shù)據(jù)復(fù)制到 一個(gè)有效的區(qū)塊,。
5,、耐久性
FLASH由于寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)導(dǎo)致介質(zhì)的氧化降解，導(dǎo)致芯片老化,，在這個(gè)方面NOR尤甚,，并不適合頻繁地擦寫(xiě),，NAND的擦寫(xiě)次數(shù)是100萬(wàn)次，而NOR只有10萬(wàn)次,。