Nand-Flash的設計

     系統(tǒng)中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U,。該器件存儲容量為16M×8位,，除此之外還有512KX 8位的空閑存儲區(qū),。該器件采用TSSOP48封裝，工作電壓為2.7～3.6V,。8位I/O端口采用地址,、數據和命令復用的方法，這樣既可減少引腳數,，又可使接口電路簡捷,。

由于ARM系統(tǒng)沒有Nand-Flash控制所需要的CLE、ALE信號,，因此需要利用ARM的通用GPIO口,。具體的連接電路如圖7-3所示。

?命令鎖存使能(CLE),，使輸入的命令發(fā)送到命令寄存器,。當變?yōu)楦唠娖綍r，在WE上升沿命令通過I/O口鎖存到命令寄存器,。

?地址鎖存使能(ALE),，控制地址輸入到片內的地址寄存器中,，地址是在WE的上升沿被鎖存的。

?片選使能(CE),，用于器件的選擇控制,。在讀操作、CE變?yōu)楦唠娖綍r,，器件返回到  備用狀態(tài),；然而，當器件在寫操作或擦除操作過程中保持忙狀態(tài)時,，CE的變高將被忽略,，不會返回到備用狀態(tài)。

?寫使能(WE),，用于控制把命令、地址和數據在它的上升沿寫入到I/O端口,；而在  讀操作時必須保持高電平,。

?讀使能(RE)，控制把數據放到I/O總線上,，在它的下降沿tREA時間后數據有效,；同時使內部的列地址自動加1。

?I/O端口,，用于命令,、地址和數據的輸入及讀操作時的數據輸出。當芯片未選中時,，                I/O口為高阻態(tài),。
?工寫保護(WP)，禁止寫操作和擦除操作,。當它有效時,，內部的高壓生成器將會復位。

?準備/忙(R/B),，反映當前器件的狀態(tài),。低電平時，表示寫操作或擦除操作以及隨機讀正進行中,；當它變?yōu)楦唠娖綍r,，表示這些操作已經完成。它采用了開漏輸出結構,，在芯片未選中時不會保持高阻態(tài),。

3.3 Nor-F1ash/Nand-FIash跳線選擇

由于ARM提供了Nand-Flash Boot-loader技術和可選擇的多種啟動方式，因此硬件設計中同時設計了Nor-Flash和Nand-Flash,，通過跳線選擇啟動方式,，