為了幫助我們認(rèn)識,，而且不同的功能引腳有不同的要求,，DDR3物理引腳可劃分為4類：地址總線,、數(shù)據(jù)總線,、控制線,、電源與參考電壓,。

1）DQ[13:0] 數(shù)據(jù)總線：

2）DQS,，DQS＃ 數(shù)據(jù)選通：
用于數(shù)據(jù)同步，讀時是輸出,邊緣與讀出的數(shù)據(jù)對齊,。寫時是輸入,中心與寫數(shù)據(jù)對齊,。

3）TDQS,TDQS# 數(shù)據(jù)選通：
功能與DQS相同，只是當(dāng)兩種不同的DIMM混合應(yīng)用在同一個系統(tǒng)時,，DQS的負(fù)載就會不同,，這樣會造成信號完整性問題，TDQS就是為了解決這個問題的,。當(dāng)TDQS使能時,DM禁止,TDQS和TDDS提供終端電阻,。注意：TDQS與DM共用一個物理引腳。

4）DM 數(shù)據(jù)屏蔽：
DM是寫數(shù)據(jù)的輸入屏蔽信號,在寫期間,當(dāng)伴隨輸入數(shù)據(jù)的DM信號被采樣為高時,輸入數(shù)據(jù)被屏蔽,。然DM僅作為輸入腳,但是,DM負(fù)載被設(shè)計成與DQ和DQS腳負(fù)載相匹配,。DM的參考值是 VREFCA引腳。注意: DQS與DM共用一個物理引腳,，所以DM可選作為TDQS,。

1）A[14:0] 地址總線:
為地址輸入，為 ACTIVATE命令提供行地址,同時為READ/WRTE命令提供列地址和自動預(yù)充電位(A10),以便從某個Bank的內(nèi)存陣列里選出一個位置,。LOAD MODE命令期間,地址輸入提供一個操作碼,。地址輸入的參考值是 VREFCA引腳。
A12/BC#: 在模式寄存器(MR)使能時,A12在READ和 WRITE命令期間被采樣,以決定burst chop(on-the-fly)是否會被執(zhí)行(HIGH=BL8執(zhí)行 burst chop),或者LoW-BC4不執(zhí)行 burst chop,。

2）BA[2:0] bank選通線： 確定要操作的Bank,，參考值是ⅤREFCA引腳。

1）CKE 時鐘使能引腳(輸入)：
CKE為高電平時,，啟動內(nèi)部時鐘信號,、設(shè)備輸入緩沖以及輸出驅(qū)動單元。CKE低電平時則關(guān)閉上述單元,。當(dāng)CKE為低電平時,，可使設(shè)備進(jìn)入PRECHARGE POWER DOWN、SELF-REFRESH以及ACTIVE POWER DOWN模式,。CKE與SELF REFRESH退出命令是同步的,。在上電以及初始化序列過程中，VREFCA與VREF將變得穩(wěn)定,，并且在后續(xù)所有的操作過程中都要保持穩(wěn)定,，包括SELF REFRESH過程中。CKE必須在讀寫操作中保持穩(wěn)定的高電平,。在POWER DOWN過程中,，除CK_t，CK_c,，ODT以及CKE以外的所有輸入緩沖都是關(guān)閉的,。在SELF REFRESH過程中,，除CKE以外的所有輸入緩沖都是關(guān)閉的。在正時鐘上升邊沿采樣,。

2）CK. CK# 差分時鐘信號(輸入)：
差分時上鐘輸入,所有控制和地址輸入信號在CK上升沿和CK#的下降沿交叉處被采樣,輸出數(shù)據(jù)選通(DQs,DQS#)參考與CK和CK#的交叉點,。

3）CS# 片選信號：
使能(低)和禁止(高）命令譯碼,當(dāng)CS#為低時DDR芯片使能、CS#的參考值是 VREFCA引腳,。

4） RAS＃,CAS＃,WE#：這3個信號,連同CS#,定義一個命令,其參考值是ⅤREFCA,。

6）RESET# 復(fù)位信號: 低位有效,參考值是VSS,復(fù)位的斷言是異步的

7）ODT 片上終端使能：
ODT使能(高)和禁止(低)片內(nèi)終端電阻，在常操作使能時,ODT僅對下面的引腳有效:DQ[7：0],、DQS,、DQS#和DM。如果通過LOADMODE命令禁止,ODT輸入被忽略,。ODT的參考值是VREFCA引腳,。

8）ZQ#： 輸出驅(qū)動校準(zhǔn)的外部參考,，這個引腳應(yīng)該連接240歐姆電阻到VSSQ,。