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素尺寸、響應(yīng)時(shí)間等 探測(cè)器平板探測(cè)器 ***普遍使用 分為兩種：非晶硅,、非晶硒 平板探測(cè)器非晶硅 目前世界上主要廠家都用這種技術(shù),，包括 GE、西門子,、飛利浦、柯達(dá)等,。國內(nèi)萬東也引進(jìn)了這種技術(shù),。 間接能量轉(zhuǎn)換過程，所謂間接DR,。 兩步數(shù)字轉(zhuǎn)換過程,，X-光粒子先變成可見光用光電管探測(cè)。 平板探測(cè)器非晶硅 成像核磁維修,、維修核磁,開機(jī)測(cè)試還是不能出圖,，檢查發(fā)現(xiàn)GATE等在射頻發(fā)射時(shí)沒有閃爍，證明門控信號(hào)沒有輸出,。門控信號(hào)由譜儀輸出,，檢查譜儀至知識(shí)燈之間的線路正常。懷疑譜儀故障,，將譜儀拆開后,，檢查SW-239門控電子轉(zhuǎn)換開關(guān)損壞。該開關(guān)是在射頻發(fā)射和信號(hào)接收之

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間的轉(zhuǎn)換。更換損壞器件后,，機(jī)器恢復(fù)正常,。作者：司馬雨辰現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行X射線時(shí)，應(yīng)設(shè)置安全線,，確定“控制區(qū)”及“管理區(qū)”,，并設(shè)明顯警告標(biāo)志。材料層為摻***的碘化銫閃爍發(fā)光晶體排列 ,；陣列層由光電二極管和TFT組成,。每個(gè)二極管對(duì)應(yīng)一個(gè)像素。 目前像素尺寸有143*143μm,，16*160μm,，200*200μm，分辨率3.5LP/mm,，灰階4096,，響應(yīng)時(shí)間3-5s。 平板探測(cè)器晶體非晶硒 或碘化